Taiwan Today

Les Laboratoires nationaux de recherche appliquée (NARL) ont annoncé hier avoir mis au point le plus petit transistor au monde. Sa taille est de 4 nanomètres, alors que les transistors miniatures sur le marché à l’heure actuelle en font 14. Selon la règle relative au rythme de miniaturisation des semiconducteurs formulée par Gordon Moore en 1975, et connue sous le nom de loi de Moore, le nombre de transistors sur une puce de silicium double tous les deux ans, a rappelé Chen Min-cheng [陳旻政], chercheur aux NARL. Les puces produites par Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) pour l’iPhone 6 d’Apple commercialisé en septembre 2014 ont ainsi été gravées en 20 nanomètres, celles utilisées pour l’iPhone 6S, sorti un an plus tard, ayant elles été gravées en 16 nanomètres et 14 nanomètres. Cette course à la miniaturisation pose toutefois un sérieux défi aux industriels. Jusqu’ici, la taille de 5 nanomètres était considérée comme une limite, celle à laquelle la loi de Moore, jamais démentie depuis sa formulation, viendrait se heurter. En effet, il s’agit d’une limite physique pour le silicium, le principal matériau utilisé pour la production de semiconducteurs, a expliqué Chen Min-cheng. « Pour atteindre 4 nanomètres, les NARL ont eu recours à du disulfure de molybdène, un matériau semiconducteur qui commence à être utilisé en combinaison avec le silicium », a poursuivi le chercheur. Qui plus est, une nouvelle technique de fabrication a été développée qui pourrait permettre de doubler la vitesse de conduction électrique en gravant une quatrième électrode recouverte de germanium, le design habituel faisant figurer seulement trois canaux de conduction électrique. Cette technologie, ont indiqué les NARL, pourra être transférée à des fabricants taiwanais de semiconducteurs pour améliorer leur compétitivité.